HSBD234 - описание и поиск аналогов

 

HSBD234. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBD234

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HSBD234

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSBD234 даташит

 ..1. Size:118K  shantou-huashan
hsbd234.pdfpdf_icon

HSBD234

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD234 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

 8.1. Size:57K  shantou-huashan
hsbd238.pdfpdf_icon

HSBD234

 8.2. Size:119K  shantou-huashan
hsbd237.pdfpdf_icon

HSBD234

 8.3. Size:118K  shantou-huashan
hsbd233.pdfpdf_icon

HSBD234

Другие транзисторы: HSBD140, HSBD175, HSBD176, HSBD177, HSBD178, HSBD179, HSBD180, HSBD233, 431, HSBD236, HSBD237, HSBD238, HSBD375, HSBD376, HSBD377, HSBD378, HSBD379

 

 

 

 

↑ Back to Top
.