HSC2621 - описание и поиск аналогов

 

HSC2621. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSC2621

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HSC2621

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSC2621 даташит

 ..1. Size:99K  shantou-huashan
 hsc2621.pdf pdf_icon

HSC2621

 9.1. Size:30K  china
 hsc2682.pdf pdf_icon

HSC2621

Spec. No. HE6626-B HI-SINCERITY Issued Date 1994.12.07 Revised Date 2000.10.01 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/3 HSC2682 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Audio frequency power amplifier, high frequency power amplifier. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Maximum Temperatures Storage Temperature ................................................................

Другие транзисторы: HSBD435, HSBD436, HSBD437, HSBD438, HSBD439, HSBD440, HSBD441, HSBD442, C945, H1008, H1015, H1020, H1020S, H1068, H1116, H1246, H1266

 

 

 

 

↑ Back to Top
.