2N718A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N718A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для 2N718A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N718A даташит
2n956 2n718a 2n1711.pdf
http //www.bocasemi.com Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com
2n718a.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N718A TO-18 Metal Can Package General Purpose Transistor. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCER Collector Emitter Voltage 50 V VCBO Collector Base Voltage 75 V VEBO Emitter Base Voltage 7.0 V PD Powe
Другие транзисторы: 2N711, 2N711A, 2N711B, 2N715, 2N716, 2N717, 2N717A, 2N718, TIP32C, 2N719, 2N719A, 2N72, 2N720, 2N720A, 2N721, 2N721A, 2N722
History: BC275 | BC214L | 2SA1605 | 2SB1127T | KT6112A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor



