H227 - описание и поиск аналогов

 

H227. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H227

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H227

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H227 даташит

 ..1. Size:144K  shantou-huashan
h227.pdfpdf_icon

H227

 0.1. Size:102K  shantou-huashan
h2274.pdfpdf_icon

H227

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H2274 APPLICATIONS Low frequency power amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation

Другие транзисторы: H1674, H1740, H1815, H1836, H1959, H2120, H2216, H2222A, 2SC2073, H2274, H2328S, H2347, H2369, H237, H238, H2655S, H2717

 

 

 

 

↑ Back to Top
.