H2907A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: H2907A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для H2907A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
H2907A даташит
h2907a.pdf
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H2907A APPLICATIONS GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Diss
ph2907a 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PH2907A PNP switching transistor 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 Jun 02 Philips Semiconductors Product specification PNP switching transistor PH2907A FEATURES PINNING High current (max. 600 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector Switc
Другие транзисторы: H2274, H2328S, H2347, H2369, H237, H238, H2655S, H2717, A940, H3192, H3198, H3200, H3202, H3203, H327, H3279, H3332
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004


