Биполярный транзистор 2N720 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N720
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO18
2N720 Datasheet (PDF)
2n720a .pdf
2N720AEPITAXIAL PLANAR NPN HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSEDESCRIPTION The 2N790A is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-18 metal case. It issuitable for a wide variety of amplifier andswitching applications.TO-18INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 120 VV Collector-Emitter Vo
2n720a.pdf
2N720AEPITAXIAL PLANAR NPN HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSEDESCRIPTION The 2N790A is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-18 metal case. It issuitable for a wide variety of amplifier andswitching applications.TO-18INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 120 VV Collector-Emitter Vo
2n720a.pdf
2N720ADimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 5.84 (0.230)5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195)4.52 (0.178)Metal Package. Bipolar NPN Device. VCEO = 100V 0.48 (0.019)0.41 (0.016)dia.IC = 0.2A 2.54 (0.100)All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JA
2n720a.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR 2N720ATO-18Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 80 VVCERCollector - Emitter Voltage 100 VVCBOCollector Base Voltage 120 VVEBOEmitter Base V
2n1893 2n720a.pdf
TECHNICAL DATA NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/182 Devices Qualified Level JAN 2N1893 2N720A JANTX 2N1893S JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol All Devices Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 120 Vdc VCBO 7.0 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 100 Vdc TO-18 (TO-206AA)* Collector-Emitter Voltage (R = 10
Другие транзисторы... 2N716 , 2N717 , 2N717A , 2N718 , 2N718A , 2N719 , 2N719A , 2N72 , 2SC1740 , 2N720A , 2N721 , 2N721A , 2N722 , 2N722A , 2N725 , 2N726 , 2N727 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050