H926. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H926

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 32 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H926

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H926 даташит

 ..1. Size:200K  shantou-huashan
 h926.pdf pdf_icon

H926

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H926 POWER SUPPLIES RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS ELECTRICAL EQUIPMENT ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipati

Другие транзисторы: H789A, H8050S, H817, H8550S, H9012, H9013, H9015, H9018, S9018, H928S, H930, H933, H984, HA05, HA06, HA1695, HA1943