2N722 - описание и поиск аналогов

 

2N722. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N722

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N722

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N722 даташит

 0.1. Size:271K  international rectifier
2n7227u.pdfpdf_icon

2N722

PD-91551D IRFN350 JANTX2N7227U JANTXV2N7227U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN350 0.315 14A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on- state resi

 0.2. Size:220K  international rectifier
2n7221u.pdfpdf_icon

2N722

PD-91550D IRFN340 JANTX2N7221U JANTXV2N7221U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/596 SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN340 0.55 10A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- si

 0.3. Size:165K  international rectifier
2n7224u.pdfpdf_icon

2N722

PD - 91547C IRFN150 JANTX2N7224U JANTXV2N7224U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN150 0.07 34A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

 0.4. Size:180K  international rectifier
2n7228u.pdfpdf_icon

2N722

PD - 90418C IRFN450 JANTX2N7228U JANTXV2N7228U POWER MOSFET REF MIL-PRF-19500/592 SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNEL Product Summary HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Part Number RDS(on) ID IRFN450 0.415 12A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re-

Другие транзисторы: 2N718A, 2N719, 2N719A, 2N72, 2N720, 2N720A, 2N721, 2N721A, BD333, 2N722A, 2N725, 2N726, 2N727, 2N728, 2N729, 3CA200A, 2N730

 

 

 

 

↑ Back to Top
.