HC5027H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HC5027H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для HC5027H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HC5027H даташит

 ..1. Size:112K  shantou-huashan
 hc5027h.pdf pdf_icon

HC5027H

 8.1. Size:150K  shantou-huashan
 hc5027.pdf pdf_icon

HC5027H

Другие транзисторы: HA42, HA44, HA56, HA92, HA94, HB772S, HC1417, HC4468, 2N5551, HC5200, HC5242, HC8050, HC8050S, HC8550, HC8550S, HD882S, HD965