HC8550. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HC8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HC8550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HC8550 даташит

 ..1. Size:142K  shantou-huashan
 hc8550.pdf pdf_icon

HC8550

 0.1. Size:128K  shantou-huashan
 hc8550s.pdf pdf_icon

HC8550

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HC8550S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 TO-92 Tj Juncttion Temperature 150 PC Collector Dissipation

Другие транзисторы: HB772S, HC1417, HC4468, HC5027H, HC5200, HC5242, HC8050, HC8050S, BC548, HC8550S, HD882S, HD965, HEB834, HED880, HEP31, HEP31A, HEP31B