HEP42C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HEP42C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для HEP42C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HEP42C даташит

 ..1. Size:61K  shantou-huashan
 hep42c.pdf pdf_icon

HEP42C

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HEP42C APPLICATIONS Medium Power Linear Switching Application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-220AB Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation

Другие транзисторы: HEP31A, HEP31B, HEP31C, HEP32, HEP32A, HEP32B, HEP32C, HEP41C, 2N3906, HM28S, HS733, HS945, HX1267, HX128M, HX2785, HX3199, HX3904