HS945. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HS945

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для HS945

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HS945 даташит

 ..1. Size:261K  shantou-huashan
 hs945.pdf pdf_icon

HS945

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HS945 APPLICATIONS The H945 is designed for driver stage of AF amplifier And low speed switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 TO-92 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150

Другие транзисторы: HEP32, HEP32A, HEP32B, HEP32C, HEP41C, HEP42C, HM28S, HS733, 2N2222A, HX1267, HX128M, HX2785, HX3199, HX3904, HX3906, HX789A, SFT1202E