HX1267. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HX1267

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для HX1267

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HX1267 даташит

 ..1. Size:558K  shantou-huashan
 hx1267.pdf pdf_icon

HX1267

Другие транзисторы: HEP32A, HEP32B, HEP32C, HEP41C, HEP42C, HM28S, HS733, HS945, 2SD718, HX128M, HX2785, HX3199, HX3904, HX3906, HX789A, SFT1202E, SFT1202TLE