Биполярный транзистор SFT1202TLE
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SFT1202TLE
Маркировка: T1202
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора:
TO252
Аналоги (замена) для SFT1202TLE
SFT1202TLE
Datasheet (PDF)
7.1. Size:57K sanyo
sft1202.pdf Ordering number : ENA1169 SFT1202SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorSFT1202High-Voltage Switching ApplicationsApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverter.Features Adoption of FBET, MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switch
7.2. Size:413K onsemi
sft1202.pdf Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
7.3. Size:305K onsemi
sft1202-e.pdf Ordering number : ENA1169ASFT1202Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )150V, 2A, Low VCE sat , NPN Single TP/TP-FAApplications DC / DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, inverterFeatures Adoption of FBET, MBIT process Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switching High allowable power diss
7.4. Size:250K inchange semiconductor
sft1202.pdf isc Silicon NPN Power Transistor SFT1202DESCRIPTIONLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 0.165V(Max)( I = 1A; I = 0.1A)CE(sat C BFast -Switching speedHigh allowable power dissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDC/DC converterRelay dirversLamp dirversMotor dirversinverterABSO
Другие транзисторы... 2N3192
, 2N3193
, 2N3194
, 2N3195
, 2N3196
, 2N3197
, 2N3198
, 2N3199
, BC327
, 2N320
, 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
.