Биполярный транзистор SFT2012 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: SFT2012
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам