SFT2012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SFT2012

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для SFT2012

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SFT2012 даташит

 ..1. Size:280K  ssdi
 sft2010 sft2012 sft2014.pdf pdf_icon

SFT2012

Другие транзисторы: HX2785, HX3199, HX3904, HX3906, HX789A, SFT1202E, SFT1202TLE, SFT2010, 2SC1815, SFT2014, SFT3852-59, SFT5001, SFT6284, SFT6287, SFT6678-3, SFT6678M, SFT6678Z