EB203D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EB203D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для EB203D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EB203D даташит

 ..1. Size:637K  shenzhen
 eb203d.pdf pdf_icon

EB203D

SY semiconductors Shenzhen SY Semiconductors Co. LTD. EB SERIES TRANSISTORS EB203D FEATURES HIGH VOLTAGE CAPABILITY HIGH SPEED SWITCHING WIDE SOA APPLICATION FLUORESCENT LAMP ELECTRONIC BALLAST Absolute Maximum Ratings (Tc=25 ) TO-92 NPN PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector Voltage VCBO 600 V Base Collector Voltage VCEO 400 V Emitter Emitter

Другие транзисторы: SFT6678-3, SFT6678M, SFT6678Z, SFT6800, SFT8200, SFT8500, 3CG8550M, T2095, 2SC2625, ECG127, SBP13003, SBP13003D, SBP13003H, SBP13003O, SBP13005D, SBP13005D1, SBP13005O