SBP13003D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SBP13003D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для SBP13003D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SBP13003D даташит
sbp13003d.pdf
SBP13003D SBP13003D SBP13003D SBP13003D High Voltage Fast -Switching NPN Power Transistor Features symbol symbol symbol symbol Very High Switching Speed 2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode 3.Emitter General Description This Device is designed for high Voltage ,High speed switching Characteristics requir
sbp13003h.pdf
SBP13003H SBP13003H SBP13003H SBP13003H High Voltage Fast -Switching NPN Power Transistor Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage , High speed Switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter
sbp13003o.pdf
SBP13003-O SBP13003-O SBP13003-O SBP13003-O High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Features Features Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description G
sbp13003.pdf
SBP13003 SemiWell Semiconductor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Symbol 2.Collector - Very High Switching Speed - Minimum Lot-to-Lot hFE Variation 1.Base - Short storge time - Wide Reverse Bias S.O.A 3.Emitter General Description TO-220 This devices is designed for high voltage, high speed switching characteristic,especially suitable for ba
Другие транзисторы: SFT6800, SFT8200, SFT8500, 3CG8550M, T2095, EB203D, ECG127, SBP13003, 9014, SBP13003H, SBP13003O, SBP13005D, SBP13005D1, SBP13005O, SBP13005S, SBP13007D, SBP13007K
History: 2N2969
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b




