Биполярный транзистор SBP13003D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBP13003D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 9
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для SBP13003D
SBP13003D Datasheet (PDF)
sbp13003d.pdf
SBP13003DSBP13003DSBP13003DSBP13003DHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics requir
sbp13003h.pdf
SBP13003HSBP13003HSBP13003HSBP13003HHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeaturesVery High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage , High speedSwitching characteristics required such as lightingsystem, switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter
sbp13003o.pdf
SBP13003-OSBP13003-OSBP13003-OSBP13003-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionG
sbp13003.pdf
SBP13003SemiWell SemiconductorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesSymbol2.Collector- Very High Switching Speed - Minimum Lot-to-Lot hFE Variation1.Base - Short storge time- Wide Reverse Bias S.O.A3.EmitterGeneral DescriptionTO-220This devices is designed for high voltage, high speed switchingcharacteristic,especially suitable for ba
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050