SBC807-40WT1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор SBC807-40WT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: SBC807-40WT1G
   Маркировка: 5C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT323

Аналоги (замена) для SBC807-40WT1G

SBC807-40WT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:74K onsemi
sbc807-40wt1g.pdf

BC807-25W, BC807-40WGeneral PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andCOLLECTORPPAP Capable 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant 1BASE2MAXIMUM RATINGSEMITTERRating Symbol Value UnitColl

5.1. Size:89K onsemi
sbc807-40lt3g.pdf

BC807-16L, BC807-25L,BC807-40LGeneral PurposeTransistorsPNP Siliconwww.onsemi.comFeatures S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueCOLLECTORSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and3PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1Compliant BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value

5.2. Size:89K onsemi
sbc807-40lt1g.pdf