SBC847CWT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBC847CWT1G

Маркировка: 1G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для SBC847CWT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBC847CWT1G даташит

 ..1. Size:109K  onsemi
 sbc847cwt1g.pdf pdf_icon

SBC847CWT1G

BC846, BC847, BC848 General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

 5.1. Size:109K  onsemi
 sbc847cwt3g.pdf pdf_icon

SBC847CWT1G

BC846, BC847, BC848 General Purpose Transistors NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

 7.1. Size:1432K  onsemi
 sbc846alt1g sbc846blt1g sbc846blt3g sbc847clt1g sbc848blt1g.pdf pdf_icon

SBC847CWT1G

BC846ALT1G Series, SBC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating - Human Body Model >4000 V COLLECTOR ESD Rating - Machine Model >400 V 3 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique BASE Site and Control Change Requirements

 7.2. Size:110K  onsemi
 sbc847cdw1t1g.pdf pdf_icon

SBC847CWT1G

BC846BDW1, BC847BDW1, BC848CDW1 Dual General Purpose Transistors NPN Duals www.onsemi.com These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications. Features SOT-363 CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications STYLE 1 Requiring Unique Site and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SBC847BLT1G, SBC847BPDW1T1G, SBC847BPDW1T3G, SBC847BPDXV6T1G, SBC847BWT1G, SBC847CDW1T1G, SBC847CDXV6T1G, SBC847CLT1G, BD135, SBC847CWT3G, SBC848BLT1G, SBC856ALT1G, SBC856BDW1T1G, SBC856BDW1T3G, SBC856BLT1G, SBC856BLT3G, SBC856BWT1G