Справочник транзисторов. SBC847CWT3G

 

Биполярный транзистор SBC847CWT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SBC847CWT3G
   Маркировка: 1G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для SBC847CWT3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBC847CWT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  onsemi
sbc847cwt3g.pdfpdf_icon

SBC847CWT3G

BC846, BC847, BC848General PurposeTransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isdesigned for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC

 5.1. Size:109K  onsemi
sbc847cwt1g.pdfpdf_icon

SBC847CWT3G

BC846, BC847, BC848General PurposeTransistorsNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which isdesigned for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC

 7.1. Size:1432K  onsemi
sbc846alt1g sbc846blt1g sbc846blt3g sbc847clt1g sbc848blt1g.pdfpdf_icon

SBC847CWT3G

BC846ALT1G Series,SBC846ALT1G SeriesGeneral PurposeTransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: >4000 VCOLLECTORESD Rating - Machine Model: >400 V3 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable1 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueBASESite and Control Change Requirements

 7.2. Size:110K  onsemi
sbc847cdw1t1g.pdfpdf_icon

SBC847CWT3G

BC846BDW1, BC847BDW1,BC848CDW1Dual General PurposeTransistorsNPN Dualswww.onsemi.comThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Features SOT-363CASE 419B S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSTYLE 1Requiring Unique Site and

Другие транзисторы... SBC847BPDW1T1G , SBC847BPDW1T3G , SBC847BPDXV6T1G , SBC847BWT1G , SBC847CDW1T1G , SBC847CDXV6T1G , SBC847CLT1G , SBC847CWT1G , TIP31 , SBC848BLT1G , SBC856ALT1G , SBC856BDW1T1G , SBC856BDW1T3G , SBC856BLT1G , SBC856BLT3G , SBC856BWT1G , SBC857ALT1G .

History: 2SC2312 | CMPT930 | LBC846ALT1G

 

 
Back to Top

 


 
.