2N736B - описание и поиск аналогов

 

2N736B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N736B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N736B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N736B даташит

 9.1. Size:55K  microsemi
 2n7368.pdf pdf_icon

2N736B

TECHNICAL DATA NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/622 Devices Qualified Level JAN 2N7368 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T

 9.2. Size:59K  microsemi
 2n7369.pdf pdf_icon

2N736B

TECHNICAL DATA PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/621 Devices Qualified Level JAN 2N7369 JANTX JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 80 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 80 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 7.0 Vdc VEBO Base Current I 4.0 Adc B Collector Current 10 Adc IC Total Power Dissipation @ T

Другие транзисторы: 2N730, 2N731, 2N734, 2N734A, 2N735, 2N735A, 2N736, 2N736A, C5198, 2N738, 2N738A, 2N739, 3CA200B, 2N740, 2N740A, 2N741, 2N741A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.