SBCP56T1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор SBCP56T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: SBCP56T1G
   Маркировка: BH
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT223

Аналоги (замена) для SBCP56T1G

SBCP56T1G Datasheet (PDF)

..1. Size:151K onsemi
sbcp56t1g.pdf

BCP56 Series,SBCP56 SeriesNPN SiliconEpitaxial TransistorThese NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use inaudio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 http://onsemi.compackage, which is designed for medium power surface mountapplications.MEDIUM POWER NPN SILICONFeaturesHIGH CURRENT TRANSISTOR High Current: 1.0 ASURFACE MOUNT The

7.1. Size:151K onsemi
sbcp56t3g.pdf