Биполярный транзистор SBCX19LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SBCX19LT1G
Маркировка: U1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для SBCX19LT1G
SBCX19LT1G Datasheet (PDF)
sbcx19lt1g.pdf
BCX17LT1G, PNPBCX18LT1G, PNPBCX19LT1G, NPNSBCX19LT1G, NPNGeneral Purposehttp://onsemi.comTransistorsVoltage and Current are Negative forPNP TransistorsSOT-23Features(TO-236)CASE 318-08 AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change RequirementsPNP NPN These Devices are
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050