SBCX19LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBCX19LT1G

Маркировка: U1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для SBCX19LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBCX19LT1G даташит

 ..1. Size:102K  onsemi
 sbcx19lt1g.pdf pdf_icon

SBCX19LT1G

BCX17LT1G, PNP BCX18LT1G, PNP BCX19LT1G, NPN SBCX19LT1G, NPN General Purpose http //onsemi.com Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors SOT-23 Features (TO-236) CASE 318-08 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable STYLE 6 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements PNP NPN These Devices are

Другие транзисторы: SBCP56-16T3G, SBCP56T1G, SBCP56T3G, SBCP68T1G, SBCW30LT1G, SBCW33LT1G, SBCW66GLT1G, SBCW72LT1G, BC549, SBF13007-O, SBF13009-O, SBF720T1G, SBN13001, SBN13002, SBN13002D, SBN13003A, SBN13003A1