Справочник транзисторов. SBCX19LT1G

 

Биполярный транзистор SBCX19LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: SBCX19LT1G
   Маркировка: U1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для SBCX19LT1G

 

 

SBCX19LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  onsemi
sbcx19lt1g.pdf

SBCX19LT1G
SBCX19LT1G

BCX17LT1G, PNPBCX18LT1G, PNPBCX19LT1G, NPNSBCX19LT1G, NPNGeneral Purposehttp://onsemi.comTransistorsVoltage and Current are Negative forPNP TransistorsSOT-23Features(TO-236)CASE 318-08 AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change RequirementsPNP NPN These Devices are

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top