SBF13009-O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBF13009-O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для SBF13009-O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBF13009-O даташит

 ..1. Size:326K  winsemi
 sbf13009-o.pdf pdf_icon

SBF13009-O

SBF13009-O SBF13009-O SBF13009-O SBF13009-O High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Features Features Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA General Description G

 7.1. Size:329K  winsemi
 sbf13007-o.pdf pdf_icon

SBF13009-O

SBF13007-O SBF13007-O SBF13007-O SBF13007-O High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor Features Features Features Features Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Isolation Voltage

Другие транзисторы: SBCP56T3G, SBCP68T1G, SBCW30LT1G, SBCW33LT1G, SBCW66GLT1G, SBCW72LT1G, SBCX19LT1G, SBF13007-O, 2SA1015, SBF720T1G, SBN13001, SBN13002, SBN13002D, SBN13003A, SBN13003A1, SBN13003HB, SBR13003A