Биполярный транзистор SJT5198NPN Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: SJT5198NPN
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO3PN
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам