SJT5198NPN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJT5198NPN

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для SJT5198NPN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SJT5198NPN даташит

 ..1. Size:246K  silan
 sjt5198npn.pdf pdf_icon

SJT5198NPN

SJT5198NPN SJT5198 NPN SJT5198NPN NPN SJT5198NPN TO-3PN PNP SJT1941PPN SJT XXX

Другие транзисторы: SDTC114EET1G, SDTC114YET1G, SDTC124EET1, SDTC124EET1G, SDTC144EET1G, SHN1B01FDW1T1G, SJ5438, SJT1941PPN, 2N2222, SBP13009K, SBP13009O, SBP13009S, SBP5027R, SBP5305DO, SBP5307DO, SF127A, SF127B