2N740A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N740A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для 2N740A
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N740A даташит
jansr2n7403.pdf
JANSR2N7403 Formerly FSF9150R4 22A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard, June 1998 P-Channel Power MOSFET Features Description 22A, -100V, rDS(ON) = 0.140 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
jansr2n7406.pdf
JANSR2N7406 Formerly FSF250R4 24A, 200V, 0.110 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 24A, 200V, rDS(ON) = 0.110 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)
2n7405.pdf
JANSR2N7405 Formerly FSF150R4 25A, 100V, 0.070 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 25A (Note), 100V, rDS(ON) = 0.070 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA
jansr2n7405.pdf
JANSR2N7405 Formerly FSF150R4 25A, 100V, 0.070 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 25A (Note), 100V, rDS(ON) = 0.070 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RA
Другие транзисторы: 2N736, 2N736A, 2N736B, 2N738, 2N738A, 2N739, 3CA200B, 2N740, 13007, 2N741, 2N741A, 2N742, 2N742A, 2N743, 2N743-46, 2N743-51, 2N743A
History: 3DG1213A | 3DG122
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124








