SD1224. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD1224

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: SOT120

 Аналоги (замена) для SD1224

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD1224 даташит

 ..1. Size:409K  hgsemi
 sd1224.pdf pdf_icon

SD1224

HG RF POWER TRANSISTOR SD1224 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR D E S C R I P T I O N K E Y F E A T U R E S D E S C R I P T I O N K E Y F E A T U R E S D E S C R I P T I O N K E Y F E A T U R E S D E S C R I P T I O N K E Y F E A T U R E S The SD1224 is an epitaxial silicon NPN planar transistor designed 175 MHz primarily for 28 V FM Class C RF amplifi

 0.1. Size:47K  st
 sd1224-10.pdf pdf_icon

SD1224

SD1224-10 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .30 MHz .28 VOLTS .IMD -28 dB .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN = OUT .380 4LFL (M113) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1224-10 1224-10 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1224-10 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB com- 1. Collector 3. Base municat

 0.2. Size:162K  toshiba
 2sd1224.pdf pdf_icon

SD1224

2SD1224 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (darlington) 2SD1224 Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications Unit mm Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain hFE = 4000 (min) (V = 2 V, I = 150 mA) CE C Low saturation voltage V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA) CE (sat) C B Maximum Ratings (Ta = 25 C) Cha

 0.3. Size:330K  hgsemi
 sd1224-10.pdf pdf_icon

SD1224

HG RF POWER TRANSISTOR SD1224-10 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR .30 MHz .28 VOLTS .IMD -28 dB .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 30 W MIN. WITH 18 dB GAIN OUT .380 4LFL (M113) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1224-10 1224-10 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1224-10 is a 28 V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SF127F, SD1134-05, SD1135, SD1136, SD1143, SD1143-01, SD1146, SD1219, 13009, SD1224-02, SD1224-10, SD1272, SD1272-2, SD1274, SD1274-01, SD1275, SD1275-01