Биполярный транзистор MPS2907A-H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MPS2907A-H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для MPS2907A-H
MPS2907A-H Datasheet (PDF)
mps2907a-h.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth MPS2907-L/HMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933MPS2907A-L/HFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current -0.6A Plastic-Encapsulate Collector-base Voltage -60V Operating and storage junction temperature range: -55OC
mps2907a-l.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth MPS2907-L/HMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933MPS2907A-L/HFax: (818) 701-4939Features Capable of 0.625Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current -0.6A Plastic-Encapsulate Collector-base Voltage -60V Operating and storage junction temperature range: -55OC
mps2907a.pdf
MPS2907APreferred DeviceGeneral PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2CollectorEmitter Voltage VCEO 60 VdcBASECollectorBase Voltage VCBO 60 Vdc1EmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcEMITTERCollector Current Continuous IC 600 mAdcSTYLE 1Total Device Dissipation PD@ TA = 25C 625
mps2907a.pdf
MPS2907APNP Silicon Elektronische Bauelemente General Purpose Transistor RoHS Compliant ProductA suffix of "-C" specifies halogen & lead-freeTO-92COLLECTOR32BASE FEATURES 1. Epitaxial Planar Die Construction1EMITTER23. Complementary NPN Type Available (MPS2222A). Ideal for Medium Power Amplification and Switching MAXIMUM RATINGS RATING SYMBOL VALUE U
mps2907a.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP)1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Equivalent Circuit MPS 2907A Z
mps2907a.pdf
MPS2907ATO-92 Transistor (PNP)TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features Complementary NPN Type available (MPS2222A) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V Dimensions in inches and (millimeters)VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Con
mps2907a.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 MPS2907A TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER FEATURES Complementary NPN Type available (MPS2222A) 2. BASE 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 1 2 3 Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050