MPSA14RLRAG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MPSA14RLRAG
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20000
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для MPSA14RLRAG
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
MPSA14RLRAG даташит
mpsa14rlrag.pdf
MPSA13, MPSA14 MPSA14 is a Preferred Device Darlington Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS BASE 2 Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCES 30 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 30 Vdc EMITTER 1 Emitter-Base Voltage VEBO 10 Vdc Collector Current - Continuous IC 500 mAdc Total Device Dissipa
mpsa14rlrpg.pdf
MPSA13, MPSA14 MPSA14 is a Preferred Device Darlington Transistors NPN Silicon Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available* COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS BASE 2 Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCES 30 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 30 Vdc EMITTER 1 Emitter-Base Voltage VEBO 10 Vdc Collector Current - Continuous IC 500 mAdc Total Device Dissipa
mpsa13 mpsa14.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MPSA13/D Darlington Transistors MPSA13 NPN Silicon MPSA14* *Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 BASE 2 EMITTER 1 1 2 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 1 TO 92 (TO 226AA) Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCES 30 Vdc Collector Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 10 V
mpsa14 4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 MPSA14 NPN Darlington transistor 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 24 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistor MPSA14 FEATURES PINNING High current (max. 500 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V) 1 collector High DC current gain (min. 10000). 2 b
Другие транзисторы... MPSA06RLRPG , MPSA113 , MPSA13G , MPSA13RLRAG , MPSA13RLRMG , MPSA13RLRPG , MPSA13ZL1G , MPSA14G , TIP41C , MPSA14RLRPG , MPSA18RLRAG , MPSA18RLRMG , MPSA29G , MPSA29RLRPG , MPSA42-BK , MPSA42M , MPSA44-BK .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet








