Справочник транзисторов. MRF1015MB

 

Биполярный транзистор MRF1015MB Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF1015MB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: 332A-03
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1015MB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  motorola
mrf1015ma mrf1015mb.pdfpdf_icon

MRF1015MB

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1015MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1015MAPower TransistorsMRF1015MB. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts Peak15 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum

 ..2. Size:238K  hgsemi
mrf1015mb.pdfpdf_icon

MRF1015MB

HG RF POWER TRANSISTORMRF1015MBSemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts PeakMinimum Gain = 10 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1

 6.1. Size:110K  motorola
mrf1015m.pdfpdf_icon

MRF1015MB

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1015MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1015MAPower TransistorsMRF1015MB. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts Peak15 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum

 6.2. Size:341K  hgsemi
mrf1015ma.pdfpdf_icon

MRF1015MB

MRF1015MASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts Peak15 W (PEAK), 960 1215 MHzMinimum Gain = 10 dBMICROWAVE POWER 100% Tested for Load Mismatch at All

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: EMD52 | BFQ19P | KTC4347 | UMB6N | SD451 | KTC3878S

 

 
Back to Top

 


 
.