Биполярный транзистор MRF1015MB Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF1015MB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: 332A-03
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF1015MB Datasheet (PDF)
mrf1015ma mrf1015mb.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1015MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1015MAPower TransistorsMRF1015MB. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts Peak15 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum
mrf1015mb.pdf

HG RF POWER TRANSISTORMRF1015MBSemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts PeakMinimum Gain = 10 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1
mrf1015m.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1015MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1015MAPower TransistorsMRF1015MB. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts Peak15 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum
mrf1015ma.pdf

MRF1015MASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 15 Watts Peak15 W (PEAK), 960 1215 MHzMinimum Gain = 10 dBMICROWAVE POWER 100% Tested for Load Mismatch at All
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: EMD52 | BFQ19P | KTC4347 | UMB6N | SD451 | KTC3878S
History: EMD52 | BFQ19P | KTC4347 | UMB6N | SD451 | KTC3878S



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450