MRF16006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF16006  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1640 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 395C-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF16006

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF16006 даташит

 ..1. Size:82K  motorola
 mrf16006.pdf pdf_icon

MRF16006

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF16006/D The RF Line MRF16006 NPN Silicon RF Power Transistor Designed for 28 Volt microwave large signal, common base, Class C CW amplifier applications in the range 1600 1640 MHz. 6.0 WATTS, 1.6 GHz Specified 28 Volt, 1.6 GHz Class C Characteristics RF POWER TRANSISTOR Output Power = 6 Watts NPN SILICO

 ..2. Size:171K  macom
 mrf16006.pdf pdf_icon

MRF16006

MRF16006 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 6.0W , 1.6GHz, 28V Product Image Designed for 28 V microwave large signal, common base, Class C, CW amplifier applications in the range 1600 1640 MHz. Specified 28 V, 1.6 GHz Class C characteristics Output power = 6 W Minimum gain = 7.4 dB, @ 6 W Minimum efficiency = 40% @

 8.1. Size:108K  motorola
 mrf16030rev3.pdf pdf_icon

MRF16006

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF16030/D The RF Line MRF16030 NPN Silicon RF Power Transistor Designed for 28 Volt microwave large signal, common base, Class C CW amplifier applications in the range 1600 1640 MHz. 30 WATTS, 1.6 GHz Specified 28 Volt, 1.6 GHz Class C Characteristics RF POWER TRANSISTOR Output Power = 30 Watts NPN SILICON

 8.2. Size:81K  motorola
 mrf16030.pdf pdf_icon

MRF16006

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF16030/D The RF Line MRF16030 NPN Silicon RF Power Transistor Designed for 28 Volt microwave large signal, common base, Class C CW amplifier applications in the range 1600 1640 MHz. 30 WATTS, 1.6 GHz Specified 28 Volt, 1.6 GHz Class C Characteristics RF POWER TRANSISTOR Output Power = 30 Watts NPN SILICON

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF1015MA, MRF1015MB, MRF10350, MRF10502, MRF1090MA, MRF1090MB, MRF1150MA, MRF1150MB, D209L, MRF1946, MRF1946A, MRF235, MRF240, MRF247, MRF260, MRF261, MRF2628