Биполярный транзистор MRF240 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF240
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 9
Корпус транзистора: 145A-09
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF240 Datasheet (PDF)
mrf240.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF240/DThe RF LineNPN SiliconMRF240RF Power Transistors. . . designed for 13.6 volt VHF largesignal class C and class AB linear poweramplifier applications in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 13.6 V, 160 MHz Performance:40 W, 145175 MHzOutput Power = 40 W
mrf240.pdf

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF240www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF240 Description: MRF240 is designed for 13.6V VHF largesignal class C and class AB linear power amplifier applications in commercial and industrial equipment. Features: Specified 13.6 V, 160 MHz Performance: Output Power = 40 Watts Power Gain = 9.0 dB Min Efficiency = 55% Min Maximum Ratings
mrf240re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF240/DThe RF LineNPN SiliconMRF240RF Power Transistors. . . designed for 13.6 volt VHF largesignal class C and class AB linear poweramplifier applications in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 13.6 V, 160 MHz Performance:40 W, 145175 MHzOutput Power = 40 W
mrf247rev1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF247/DThe RF LineNPN SiliconMRF247RF Power TransistorThe MRF247 is designed for 12.5 Volt VHF largesignal amplifier applicationsin industrial and commercial FM equipment operating to 175 MHz. Specified 12.5 Volt, 175 MHz Characteristics Output Power = 75 Watts75 W, 175 MHzPower Gain = 7.0 dB MinCONT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: CZD4672 | BFG520-X | S8550A | C866 | 2SC3648 | 3DA50D
History: CZD4672 | BFG520-X | S8550A | C866 | 2SC3648 | 3DA50D



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor