Биполярный транзистор MRF260 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF260
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 174 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF260 Datasheet (PDF)
mrf260.pdf

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF260www.eleflow.com High band/VHF FM power transistor MRF260 Description: MRF260 is designed as 12.5V, 136-174MHz, high band/VHF FM transistors. Maximum Ratings at TU = 25 Symbol Test Conditions Characteristics UnitsV BVCES IC=5 mA Max. 36V BVCEO IC=15 mA Max. 18V BVEBO IE=3 mA Max. 4A IC Max. 1W Ptot Max. 12 Min. -65TSTG
mrf2628r.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2628/DThe RF LineNPN SiliconMRF2628RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt VHF largesignal power amplifiers in commercial andindustrial FM equipment. Compact .280 Stud Package Specified 12.5 V, 175 MHz Performance15 W 136220 MHzOutput Power = 15 WattsRF POWERPower Gain = 12 dB MinTRA
mrf2628.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2628/DThe RF LineNPN SiliconMRF2628RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt VHF largesignal power amplifiers in commercial andindustrial FM equipment. Compact .280 Stud Package Specified 12.5 V, 175 MHz Performance15 W 136220 MHzOutput Power = 15 WattsRF POWERPower Gain = 12 dB MinTRA
mrf261.pdf

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF261www.eleflow.com High band/VHF FM power transistor MRF261 Description: MRF261 is designed as 10W, 5.2dB, 12.5V, 136-175MHz, TO220 high band/VHF FM transistors. Maximum Ratings at TU = 25 Symbol Test Conditions Characteristics UnitsV BVCES IC=10 mA Max. 36V BVCEO IC=30 mA Max. 18V BVEBO IE=5 mA Max. 4A IC Max. 2W Ptot Max. 30
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: HTIP112 | BFG520-X | ZTX108CK | BD539C | MQ3640 | 2SC5619
History: HTIP112 | BFG520-X | ZTX108CK | BD539C | MQ3640 | 2SC5619



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip31c reemplazo | 2sa906 | c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor