Биполярный транзистор MRF264 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF264
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO220
MRF264 Datasheet (PDF)
mrf264.pdf
ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF264www.eleflow.com High band/VHF FM power transistor MRF264 Description: MRF264 is designed for class C VHF mobile radio power amplifier applications operating at 12.5V. Maximum Ratings at TU = 25 Symbol Test Conditions Characteristics UnitsV BVCES IC=10 mA Max. 36V BVCEO IC=30 mA Max. 18V BVEBO IE=5 mA Max. 4A IC Max. 6W Ptot Max.
mrf2628r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2628/DThe RF LineNPN SiliconMRF2628RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt VHF largesignal power amplifiers in commercial andindustrial FM equipment. Compact .280 Stud Package Specified 12.5 V, 175 MHz Performance15 W 136220 MHzOutput Power = 15 WattsRF POWERPower Gain = 12 dB MinTRA
mrf2628.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2628/DThe RF LineNPN SiliconMRF2628RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt VHF largesignal power amplifiers in commercial andindustrial FM equipment. Compact .280 Stud Package Specified 12.5 V, 175 MHz Performance15 W 136220 MHzOutput Power = 15 WattsRF POWERPower Gain = 12 dB MinTRA
mrf260.pdf
ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF260www.eleflow.com High band/VHF FM power transistor MRF260 Description: MRF260 is designed as 12.5V, 136-174MHz, high band/VHF FM transistors. Maximum Ratings at TU = 25 Symbol Test Conditions Characteristics UnitsV BVCES IC=5 mA Max. 36V BVCEO IC=15 mA Max. 18V BVEBO IE=3 mA Max. 4A IC Max. 1W Ptot Max. 12 Min. -65TSTG
mrf261.pdf
ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF261www.eleflow.com High band/VHF FM power transistor MRF261 Description: MRF261 is designed as 10W, 5.2dB, 12.5V, 136-175MHz, TO220 high band/VHF FM transistors. Maximum Ratings at TU = 25 Symbol Test Conditions Characteristics UnitsV BVCES IC=10 mA Max. 36V BVCEO IC=30 mA Max. 18V BVEBO IE=5 mA Max. 4A IC Max. 2W Ptot Max. 30
mrf2628.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMRF2628SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for 12.5 volt VHF largesignal power amplifiers in commercial andindustrial FM equipment. Compact .280 Stud Package Specified 12.5 V, 175 MHz PerformanceOutput Power = 15 WattsPower Gain = 12 dB MinEfficiency = 60% Min Characterized to 220 MHz Load Mismatch
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050