MRF314A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF314A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 103 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: 380-4L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF314A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF314A даташит

 ..1. Size:243K  hgsemi
 mrf314a.pdf pdf_icon

MRF314A

HG RF POWER TRANSISTOR MRF314A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION PACKAGE STYLE .380 4L FLG The MRF314A is Designed for .112 x 45 B A FEATURES .125 NOM. FULL R J .125 Omnigold Metalization System C D E MAXIMUM RATINGS F I H G IC 9.0 A MINIMUM MAXIMUM VCBO 65 V DIM inches / mm inches / mm .220 / 5

 8.1. Size:113K  motorola
 mrf314.pdf pdf_icon

MRF314A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF314/D The RF Line NPN Silicon MRF314 RF Power Transistors . . . designed primarily for wideband large signal driver and output amplifier stages in the 30 200 MHz frequency range. Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 30 Watts 30 W, 30 200 MHz Minimum Gain = 10 dB RF POWER 100% Tested

 8.2. Size:113K  motorola
 mrf314re.pdf pdf_icon

MRF314A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF314/D The RF Line NPN Silicon MRF314 RF Power Transistors . . . designed primarily for wideband large signal driver and output amplifier stages in the 30 200 MHz frequency range. Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 30 Watts 30 W, 30 200 MHz Minimum Gain = 10 dB RF POWER 100% Tested

 8.3. Size:223K  macom
 mrf314.pdf pdf_icon

MRF314A

MRF314 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 05202009 30W, 30-200MHz, 28V Designed primarily for wideband large signal driver and output Product Image amplifier stages in the 30 200 MHz frequency range. Guaranteed performance at 150 MHz, 28 Vdc Output power = 30 W Minimum gain = 10 dB 100% tested for load mismatch at all ph

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF1946A, MRF235, MRF240, MRF247, MRF260, MRF261, MRF2628, MRF264, 2SA1015, MRF315A, MRF329, MRF392, MRF393, MRF410, MRF412, MRF427A, MRF429