Биполярный транзистор MRF314A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF314A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 103 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора: 380-4L
MRF314A Datasheet (PDF)
mrf314a.pdf
HG RF POWER TRANSISTORMRF314ASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDESCRIPTION:PACKAGE STYLE .380 4L FLGThe MRF314A is Designed for .112 x 45BAFEATURES: .125 NOM.FULL RJ.125 Omnigold Metalization System C D E MAXIMUM RATINGSFIHGIC 9.0 A MINIMUM MAXIMUMVCBO 65 VDIMinches / mm inches / mm.220 / 5
mrf314.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF314/DThe RF LineNPN SiliconMRF314RF Power Transistors. . . designed primarily for wideband largesignal driver and output amplifierstages in the 30200 MHz frequency range. Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 VdcOutput Power = 30 Watts30 W, 30200 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWER 100% Tested
mrf314re.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF314/DThe RF LineNPN SiliconMRF314RF Power Transistors. . . designed primarily for wideband largesignal driver and output amplifierstages in the 30200 MHz frequency range. Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 VdcOutput Power = 30 Watts30 W, 30200 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWER 100% Tested
mrf314.pdf
MRF314 The RF Line NPN Silicon Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 05202009 30W, 30-200MHz, 28V Designed primarily for wideband largesignal driver and output Product Image amplifier stages in the 30200 MHz frequency range. Guaranteed performance at 150 MHz, 28 Vdc Output power = 30 W Minimum gain = 10 dB 100% tested for load mismatch at all ph
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050