MRF453A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MRF453A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: 145A-10
MRF453A Datasheet (PDF)
mrf453a.pdf
HG RF POWER TRANSISTOR MRF453A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 1998 www.HGSemi.com HG RF POWER TRANSISTOR MRF453A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Note Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change. Sep. 19
mrf454re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF454/D The RF Line NPN Silicon MRF454 RF Power Transistor Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts 80 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSISTOR NPN S
mrf455re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF455/D The RF Line NPN Silicon MRF455 RF Power Transistor . . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 60 Watts 60 W, 30 MHz Minimum Gain = 13 dB RF POWER Efficiency = 55% TRANSISTOR
mrf454rev1.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF454/D The RF Line NPN Silicon MRF454 RF Power Transistor Designed for power amplifier applications in industrial, commercial and amateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts 80 W, 30 MHz Minimum Gain = 12 dB RF POWER Efficiency = 50% TRANSISTOR NPN S
Другие транзисторы... MRF393 , MRF410 , MRF412 , MRF427A , MRF429 , MRF448 , MRF449A , MRF450A , TIP32C , MRF466 , MRF477 , MRF479 , MRF486 , MRF492 , MRF492A , MRF497 , MRF544 .
History: DSS4160V | RN2701 | DTC143TCA | 3DF1D | BD371B-25 | BFX58II | MRF449A
History: DSS4160V | RN2701 | DTC143TCA | 3DF1D | BD371B-25 | BFX58II | MRF449A
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet










