Биполярный транзистор MRF453A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF453A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: 145A-10
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF453A Datasheet (PDF)
mrf453a.pdf

HG RF POWER TRANSISTORMRF453ASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 1998www.HGSemi.comHG RF POWER TRANSISTORMRF453ASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORNote : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.Sep. 19
mrf454re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF454/DThe RF LineNPN SiliconMRF454RF Power TransistorDesigned for power amplifier applications in industrial, commercial andamateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts80 W, 30 MHzMinimum Gain = 12 dBRF POWEREfficiency = 50%TRANSISTORNPN S
mrf455re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF455/DThe RF LineNPN SiliconMRF455RF Power Transistor. . . designed for power amplifier applications in industrial, commercial andamateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 60 Watts60 W, 30 MHzMinimum Gain = 13 dBRF POWEREfficiency = 55%TRANSISTOR
mrf454rev1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF454/DThe RF LineNPN SiliconMRF454RF Power TransistorDesigned for power amplifier applications in industrial, commercial andamateur radio equipment to 30 MHz. Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts80 W, 30 MHzMinimum Gain = 12 dBRF POWEREfficiency = 50%TRANSISTORNPN S
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BFG520-X | ZT2938 | CHDTA115EKGP | CPL638 | 2SC3675 | CD0014NA
History: BFG520-X | ZT2938 | CHDTA115EKGP | CPL638 | 2SC3675 | CD0014NA



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet