MRF466 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF466  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: 211-09

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF466

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF466 даташит

 ..1. Size:31K  eleflow
 mrf466.pdf pdf_icon

MRF466

ELEFLOW TECHNOLOGIES MRF466 www.eleflow.com NPN Silicon RF power transistor MRF466 Description MRF466 is designed primarily for applications as a high power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment. 2N5941 Replacement. Features Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 40 W (PEP) or CW, Minimum Gain =

 9.1. Size:104K  motorola
 mrf464re.pdf pdf_icon

MRF466

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF464/D The RF Line NPN Silicon MRF464 RF Power Transistor . . . designed primarily for applications as a high power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment. Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 W (PEP) 80 W (PEP), 30 MHz Minimum G

 9.2. Size:104K  motorola
 mrf464.pdf pdf_icon

MRF466

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF464/D The RF Line NPN Silicon MRF464 RF Power Transistor . . . designed primarily for applications as a high power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz, in single sideband mobile, marine and base station equipment. Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics Output Power = 80 W (PEP) 80 W (PEP), 30 MHz Minimum G

Другие транзисторы: MRF410, MRF412, MRF427A, MRF429, MRF448, MRF449A, MRF450A, MRF453A, MJE350, MRF477, MRF479, MRF486, MRF492, MRF492A, MRF497, MRF544, MRF545