MRF572 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF572  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: 303-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF572

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF572 даташит

 ..1. Size:50K  njs
 mrf572.pdf pdf_icon

MRF572

 9.1. Size:358K  motorola
 mmbr571lt1 mps571 mrf571 mrf5711lt1.pdf pdf_icon

MRF572

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBR571LT1/D The RF Line MMBR571LT1 NPN Silicon MPS571 MRF571 High-Frequency Transistors MRF5711LT1 Designed for low noise, wide dynamic range front end amplifiers and low noise VCO s. Available in a surface mountable plastic package, as well as the popular TO 226AA (TO 92) package. This Motorola series of smal

Другие транзисторы: MRF479, MRF486, MRF492, MRF492A, MRF497, MRF544, MRF545, MRF555, BC547, MRF581, MRF581A, MRF587, MRF630, MRF650, MRF652, MRF652S, MRF653