Справочник транзисторов. MRF652S

 

Биполярный транзистор MRF652S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF652S
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 512 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: 244-04
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF652S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  motorola
 mrf652 mrf652s.pdf pdf_icon

MRF652S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF652/DThe RF LineNPN SiliconMRF652RF Power TransistorsMRF652SDesigned for 12.5 Vdc UHF largesignal, amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 5.0 Watts5.0 W, 512 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWEREf

 ..2. Size:243K  hgsemi
 mrf652s.pdf pdf_icon

MRF652S

HG RF POWER TRANSISTORMRF652SSemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDesigned for 12.5 Vdc UHF largesignal, amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 5.0 WattsMinimum Gain = 10 dBEfficiency = 65% (Typ) Typical Performance at 512 MHz, 12.5 V, 5.

 8.1. Size:111K  motorola
 mrf652re.pdf pdf_icon

MRF652S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF652/DThe RF LineNPN SiliconMRF652RF Power TransistorsMRF652SDesigned for 12.5 Vdc UHF largesignal, amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 5.0 Watts5.0 W, 512 MHzMinimum Gain = 10 dBRF POWEREf

 8.2. Size:241K  hgsemi
 mrf652.pdf pdf_icon

MRF652S

HG RF POWER TRANSISTORMRF652SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDesigned for 12.5 Vdc UHF largesignal, amplifier applications in industrialand commercial FM equipment operating to 512 MHz. Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz CharacteristicsOutput Power = 5.0 WattsMinimum Gain = 10 dBEfficiency = 65% (Typ) Typical Performance at 512 MHz, 12.5 V, 5.0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | D4120P | 2SC1557 | ZXTN4002Z | BD518-5

 

 
Back to Top

 


 
.