MRF899 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF899  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: 375A-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF899

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF899 даташит

 ..1. Size:196K  motorola
mrf899.pdfpdf_icon

MRF899

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF899/D The RF Line NPN Silicon MRF899 RF Power Transistor Designed for 26 Volt UHF large signal, common emitter, Class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 960 MHz. Specified 26 Volt, 900 MHz Characteristics 150 W, 900 MHz Output Power = 150 Wat

 ..2. Size:103K  njs
mrf899.pdfpdf_icon

MRF899

 0.1. Size:196K  motorola
mrf899re.pdfpdf_icon

MRF899

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF899/D The RF Line NPN Silicon MRF899 RF Power Transistor Designed for 26 Volt UHF large signal, common emitter, Class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 960 MHz. Specified 26 Volt, 900 MHz Characteristics 150 W, 900 MHz Output Power = 150 Wat

 0.2. Size:204K  motorola
mrf899rev7.pdfpdf_icon

MRF899

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF899/D The RF Line NPN Silicon MRF899 RF Power Transistor Designed for 26 Volt UHF large signal, common emitter, Class AB linear amplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operating in the range 800 960 MHz. Specified 26 Volt, 900 MHz Characteristics 150 W, 900 MHz Output Power = 150 Wat

Другие транзисторы: MRF839, MRF839F, MRF857S, MRF891, MRF891S, MRF894, MRF897, MRF897R, 13007, MRFC572, MS1226, MS1227, MS1261, MS1329, MS1501, MS1649, MS2202