Справочник транзисторов. MRF899

 

Биполярный транзистор MRF899 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF899
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 230 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 28 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: 375A-01
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF899 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  motorola
mrf899.pdfpdf_icon

MRF899

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF899/DThe RF LineNPN SiliconMRF899RF Power TransistorDesigned for 26 Volt UHF largesignal, common emitter, Class AB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800960 MHz. Specified 26 Volt, 900 MHz Characteristics150 W, 900 MHzOutput Power = 150 Wat

 ..2. Size:103K  njs
mrf899.pdfpdf_icon

MRF899

 0.1. Size:196K  motorola
mrf899re.pdfpdf_icon

MRF899

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF899/DThe RF LineNPN SiliconMRF899RF Power TransistorDesigned for 26 Volt UHF largesignal, common emitter, Class AB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800960 MHz. Specified 26 Volt, 900 MHz Characteristics150 W, 900 MHzOutput Power = 150 Wat

 0.2. Size:204K  motorola
mrf899rev7.pdfpdf_icon

MRF899

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF899/DThe RF LineNPN SiliconMRF899RF Power TransistorDesigned for 26 Volt UHF largesignal, common emitter, Class AB linearamplifier applications in industrial and commercial FM/AM equipment operatingin the range 800960 MHz. Specified 26 Volt, 900 MHz Characteristics150 W, 900 MHzOutput Power = 150 Wat

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | HSBD233 | 3CK301 | CBCX69 | CDQ10046

 

 
Back to Top

 


 
.