MSC2712GT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSC2712GT1G  📄📄 

Маркировка: 12M_12Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT346

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MSC2712GT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSC2712GT1G даташит

 ..1. Size:60K  onsemi
 msc2712gt1g.pdf pdf_icon

MSC2712GT1G

MSC2712GT1G, MSC2712YT1G General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount www.onsemi.com Features SC-59 Moisture Sensitivity Level 1 CASE 318D STYLE 1 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant MARKING DIAGRAMS 12G MG 12Y MG MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) G G Rating Symbol Value Unit Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc 12M, 12Y = Sp

 ..2. Size:57K  onsemi
 msc2712gt1g msc2712yt1g.pdf pdf_icon

MSC2712GT1G

MSC2712GT1G, MSC2712YT1G General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount www.onsemi.com Features SC-59 Moisture Sensitivity Level 1 CASE 318D STYLE 1 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant MARKING DIAGRAMS 12G MG 12Y MG MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) G G Rating Symbol Value Unit Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc 12M, 12Y = Sp

 4.1. Size:31K  onsemi
 msc2712gt1-d.pdf pdf_icon

MSC2712GT1G

MSC2712GT1, MSC2712YT1 General Purpose Amplifier Transistor NPN Surface Mount http //onsemi.com Features Moisture Sensitivity Level 1 COLLECTOR Pb-Free Packages are Available 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit 2 1 Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc BASE EMITTER Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc 3 C

Другие транзисторы: MS8050-L, MSA1162GT1G, MSB1218A-RT1, MSB1218A-RT1G, MSB92ASWT1G, MSB92AWT1G, MSB92T1G, MSB92WT1G, MJE340, MSD1819A-R, MSD1819A-RT1G, MSD42, MSD42SWT1G, MSD42T1G, MSD42WT1G, MSD601-R, MSD601-RT1G