Справочник транзисторов. MSC2712GT1G

 

Биполярный транзистор MSC2712GT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MSC2712GT1G
   Маркировка: 12M_12Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT346
 

 Аналог (замена) для MSC2712GT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSC2712GT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  onsemi
msc2712gt1g.pdfpdf_icon

MSC2712GT1G

MSC2712GT1G,MSC2712YT1GGeneral PurposeAmplifier TransistorNPN Surface Mountwww.onsemi.comFeaturesSC-59 Moisture Sensitivity Level: 1 CASE 318DSTYLE 1 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantMARKING DIAGRAMS12G MG 12Y MGMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)G GRating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc12M, 12Y = Sp

 ..2. Size:57K  onsemi
msc2712gt1g msc2712yt1g.pdfpdf_icon

MSC2712GT1G

MSC2712GT1G,MSC2712YT1GGeneral PurposeAmplifier TransistorNPN Surface Mountwww.onsemi.comFeaturesSC-59 Moisture Sensitivity Level: 1 CASE 318DSTYLE 1 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantMARKING DIAGRAMS12G MG 12Y MGMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)G GRating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc12M, 12Y = Sp

 4.1. Size:31K  onsemi
msc2712gt1-d.pdfpdf_icon

MSC2712GT1G

MSC2712GT1, MSC2712YT1General PurposeAmplifier TransistorNPN Surface Mounthttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1COLLECTOR Pb-Free Packages are Available3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value Unit2 1Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcBASE EMITTERCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc3C

Другие транзисторы... MS8050-L , MSA1162GT1G , MSB1218A-RT1 , MSB1218A-RT1G , MSB92ASWT1G , MSB92AWT1G , MSB92T1G , MSB92WT1G , 2SA1837 , MSD1819A-R , MSD1819A-RT1G , MSD42 , MSD42SWT1G , MSD42T1G , MSD42WT1G , MSD601-R , MSD601-RT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.