Биполярный транзистор MSD1819A-R Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MSD1819A-R
Маркировка: ZR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
Корпус транзистора: SOT323
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MSD1819A-R Datasheet (PDF)
msd1819a-r.pdf

MSD1819A-RT1G,SMSD1819A-RT1GGeneral Purpose AmplifierTransistorNPN Silicon Surface Mounthttp://onsemi.comThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in theSC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.FeaturesSC-70 (SOT-323)CASE 419 High hFE, 210-460STYL
msd1819a-rt1-d.pdf

MSD1819A--RT1General Purpose AmplifierTransistorNPN Silicon Surface MountThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalhttp://onsemi.compurpose amplifier applications. This device is housed in theSC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfaceCOLLECTORmount applications.3Features High hFE, 210 -- 460 Low VCE(sat),
msd1819a-rt1g nsvmsd1819a-rt1g.pdf

MSD1819A-RT1G,NSVMSD1819A-RT1GGeneral Purpose AmplifierTransistorNPN Silicon Surface Mountwww.onsemi.comThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in theSC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.FeaturesSC-70 (SOT-323)CASE 419 High hFE, 210-460STYLE
msd1819a-rt1g.pdf

MSD1819A-RT1G,SMSD1819A-RT1GGeneral Purpose AmplifierTransistorNPN Silicon Surface Mounthttp://onsemi.comThis NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for generalpurpose amplifier applications. This device is housed in theSC-70/SOT-323 package which is designed for low power surfacemount applications.FeaturesSC-70 (SOT-323)CASE 419 High hFE, 210-460STYL
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | 2SC3647 | MRF891 | MPQ2222 | 2SC3711
History: PN4142 | SGSIF444 | 2SC3647 | MRF891 | MPQ2222 | 2SC3711



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055