Справочник транзисторов. MSD601-RT1G

 

Биполярный транзистор MSD601-RT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MSD601-RT1G
   Маркировка: YR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT346
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MSD601-RT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  onsemi
 msd601-rt1g.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc1 2BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl

 4.1. Size:146K  onsemi
 msd601-rt1 msd601-st1.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc1 2BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl

 4.2. Size:42K  onsemi
 msd601-rt1-d.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MSD601-RT1, MSD601-ST1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorsSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc2 1BASE EMITTERCollector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 VdcMARKINGColl

 6.1. Size:110K  motorola
 msd601-r.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSD601RT1/DNPN General Purpose Amplifier*MSD601-RT1Transistors Surface MountCOLLECTORMSD601-ST13*Motorola Preferred Device2 13BASE EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C) 21Rating Symbol Value UnitCollectorBase Voltage V(BR)CBO 60 VdcCASE 318D03, STYLE 1CollectorEmitter Voltage V(BR)CEO 50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 40517 | BFG520-X | BD500B | PN3568 | BFS61 | PN4250A

 

 
Back to Top

 


 
.