MSD601-RT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSD601-RT1G  📄📄 

Маркировка: YR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210

Корпус транзистора: SOT346

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MSD601-RT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSD601-RT1G даташит

 ..1. Size:83K  onsemi
 msd601-rt1g.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MSD601-RT1, MSD601-ST1 Preferred Device NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc 1 2 BASE EMITTER Collector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc MARKING Coll

 4.1. Size:146K  onsemi
 msd601-rt1 msd601-st1.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MSD601-RT1, MSD601-ST1 Preferred Device NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc 1 2 BASE EMITTER Collector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc MARKING Coll

 4.2. Size:42K  onsemi
 msd601-rt1-d.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MSD601-RT1, MSD601-ST1 Preferred Device NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector - Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc 2 1 BASE EMITTER Collector - Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter - Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc MARKING Coll

 6.1. Size:110K  motorola
 msd601-r.pdf pdf_icon

MSD601-RT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MSD601 RT1/D NPN General Purpose Amplifier * MSD601-RT1 Transistors Surface Mount COLLECTOR MSD601-ST1 3 *Motorola Preferred Device 2 1 3 BASE EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) 2 1 Rating Symbol Value Unit Collector Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc CASE 318D 03, STYLE 1 Collector Emitter Voltage V(BR)CEO 50

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MSC2712GT1G, MSD1819A-R, MSD1819A-RT1G, MSD42, MSD42SWT1G, MSD42T1G, MSD42WT1G, MSD601-R, BD135, MSD602-RT1, MSD602-RT1G, MSG36C42, MSG36D42, MSG36E31, MSG36E41, MSG43001, MSG43002