MSD602-RT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSD602-RT1G  📄📄 

Маркировка: WR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT346

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MSD602-RT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSD602-RT1G даташит

 ..1. Size:58K  onsemi
 msd602-rt1g.pdf pdf_icon

MSD602-RT1G

MSD602-RT1G NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount Features http //onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SC-59 Compliant* CASE 318D STYLE 1 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) COLLECTOR Ratin

 4.1. Size:42K  onsemi
 msd602-rt1-d.pdf pdf_icon

MSD602-RT1G

MSD602-RT1 Preferred Device NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc Collector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc 2 1 Collector Current - Continuous IC 500 mAdc BA

 4.2. Size:87K  onsemi
 msd602-rt1.pdf pdf_icon

MSD602-RT1G

MSD602-RT1G, SMSD602-RT1G Preferred Device NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SC-59 Site and Control Change Requirements CASE 318D These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS STYLE 1 Compliant* COLLECTOR

 6.1. Size:111K  motorola
 msd602-r.pdf pdf_icon

MSD602-RT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MSD602 RT1/D NPN General Purpose Amplifier MSD602-RT1 Transistor Surface Mount COLLECTOR Motorola Preferred Device 3 3 2 2 1 1 BASE EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) Rating Symbol Value Unit CASE 318D 03, STYLE 1 SC 59 Collector Base Voltage V(BR)CBO 60 Vdc Collector Emitter Voltage V(BR)CEO 50 Vdc Emi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MSD1819A-RT1G, MSD42, MSD42SWT1G, MSD42T1G, MSD42WT1G, MSD601-R, MSD601-RT1G, MSD602-RT1, BC558, MSG36C42, MSG36D42, MSG36E31, MSG36E41, MSG43001, MSG43002, MSG43003, MSG43004