Биполярный транзистор MSD602-RT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MSD602-RT1G
Маркировка: WR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT346
Аналоги (замена) для MSD602-RT1G
MSD602-RT1G Datasheet (PDF)
msd602-rt1g.pdf
MSD602-RT1GNPN General PurposeAmplifier TransistorSurface MountFeatureshttp://onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSC-59Compliant*CASE 318DSTYLE 1MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)COLLECTORRatin
msd602-rt1-d.pdf
MSD602-RT1Preferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorSurface MountFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value UnitCollector-Base Voltage V(BR)CBO 60 VdcCollector-Emitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmitter-Base Voltage V(BR)EBO 7.0 Vdc2 1Collector Current - Continuous IC 500 mAdcBA
msd602-rt1.pdf
MSD602-RT1G,SMSD602-RT1GPreferred Device NPN General PurposeAmplifier TransistorSurface Mounthttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSC-59Site and Control Change RequirementsCASE 318D These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSSTYLE 1Compliant*COLLECTOR
msd602-r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MSD602RT1/DNPN General Purpose AmplifierMSD602-RT1Transistor Surface MountCOLLECTORMotorola Preferred Device3322 11BASE EMITTERMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)Rating Symbol Value Unit CASE 318D03, STYLE 1SC59CollectorBase Voltage V(BR)CBO 60 VdcCollectorEmitter Voltage V(BR)CEO 50 VdcEmi
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050