Справочник транзисторов. MSG430D4

 

Биполярный транзистор MSG430D4 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MSG430D4
   Маркировка: 5Z
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 14000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: ML3N2
 

 Аналог (замена) для MSG430D4

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MSG430D4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  panasonic
 msg430d4.pdf pdf_icon

MSG430D4

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Transistors MSG430D4SiGe HBT typeFor low-noise RF amplifierUnit : mm Features Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency3 2 Low-noise, high-gain amplification Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for 1Ultr

 8.1. Size:519K  panasonic
 msg430c4.pdf pdf_icon

MSG430D4

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Transistors MSG430C4SiGe HBT typeFor low-noise RF amplifierUnit: mm Features Compatible between high breakdown voltage and high cutoff frequency3 2 Low-noise, high-gain amplification Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for 1Ultra

 8.2. Size:202K  panasonic
 msg43002.pdf pdf_icon

MSG430D4

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).TransistorsMSG43002SiGe HBT typeFor low-noise RF amplifierUnit: mm Features3 2 Compatible between high breakdown voltage and high cutoff fre-quency10.39+0.01 Low-noise, high-gain amplification 1.000.05 -0.03 Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip-0.250.05 0.250.05

 8.3. Size:204K  panasonic
 msg43004.pdf pdf_icon

MSG430D4

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).TransistorsMSG43004SiGe HBT typeFor low-noise RF amplifierUnit: mm3 2 Features Compatible between high breakdown voltage and high cut-off frequency1 Low noise, high-gain amplification0.39+0.011.000.05 -0.03 Optimal size reduction and high level integration for ultra-small packages0.250.05 0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MSG36D42 , MSG36E31 , MSG36E41 , MSG43001 , MSG43002 , MSG43003 , MSG43004 , MSG430C4 , 13005 , MT3S106FS , MT3S111 , MT3S111P , MT3S111TU , MT3S113 , MT3S113P , MT3S113TU , MT4S102T .

 

 
Back to Top

 


 
.