MP4T6365 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP4T6365  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-23 SOT-143

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MP4T6365

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MP4T6365 даташит

 ..1. Size:99K  m-pulse
 mp4t6365.pdf pdf_icon

MP4T6365

Low OperatingVoltage, High fT MP4T6365 Bipolar Microwave Transistors V2.00 Features Case Styles Designed for Battery Operation fT to 10 GHz Low Voltage Oscillator and Amplifier Low Phase Noise and Noise Figure Hermetic and Surface Mount Packages and Chips Available Can be Screened to JANTX, JANTXV Equivalent Levels Description The MP4T6365 family of low voltage,

 8.1. Size:177K  m-pulse
 mp4t6310.pdf pdf_icon

MP4T6365

3 Volt, Low Noise High f Silicon Transistor T MP4T6310 Series Features SOT-23 High Performance at VCE = 3V Low Noise Figure at Small Currents (0.3-2 mA) High Gain (14 dB) at 1mA Collector Current High fT (14 GHz) Available on Tape and Reel Description The MP4T6310 series of low current, high fT silicon NPN SOT-143 bipolar transistors provides low nois

 8.2. Size:177K  m-pulse
 mp4t6325.pdf pdf_icon

MP4T6365

3 Volt, Low Noise High f Silicon Transistor T MP4T6310 Series Features SOT-23 High Performance at VCE = 3V Low Noise Figure at Small Currents (0.3-2 mA) High Gain (14 dB) at 1mA Collector Current High fT (14 GHz) Available on Tape and Reel Description The MP4T6310 series of low current, high fT silicon NPN SOT-143 bipolar transistors provides low nois

 9.1. Size:97K  m-pulse
 mp4t645.pdf pdf_icon

MP4T6365

Silicon Bipolar High fT Low Noise Microwave Transistors MP4T645 Case Styles Features fT to 9 GHz Low Noise Figure High Associated Gain Hermetic and Surface Mount Packages Available Can be Screened to JANTX, JANTXV Equivalent Levels Industry Standard Description SOT-23 SOT-143 The MP4T645 family of high gain-bandwidth, small signal silicon bipolar transistors is we

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MP4507, MP4508, MP4513, MP4514, MP4T243, MP4T3243, MP4T6310, MP4T6325, 2N2222, MP4T645, MP4T801, MP4T802, MP4T856, MP6301, MP6901, MPQ3467, MPQ3725