Справочник транзисторов. MPQ3725

 

Биполярный транзистор MPQ3725 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MPQ3725
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO116

 Аналоги (замена) для MPQ3725

 

 

MPQ3725 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  central
mpq3725.pdf

MPQ3725

 0.1. Size:111K  motorola
mmpq3725.pdf

MPQ3725
MPQ3725

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMPQ3725/DQuad Core DriverMMPQ3725Transistor1 16NPN Silicon Motorola Preferred Device2 153 144 135 126 117 108 9161MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit CASE 751B05, STYLE 4SO16CollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCollectorEmitter Voltage VCES 60 VdcEmitterBase Voltage VEB 5.0

 0.2. Size:218K  central
mpq3725a.pdf

MPQ3725
MPQ3725

TMCentralMPQ3725ASemiconductor Corp.NPN SILICONDESCRIPTION:QUAD TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ3725A type iscomprised of four independant silicon NPN transistorsmounted in a 14-Pin DIP case, designed for core driverapplications.MARKING CODE: FULL PART NUMBERTO-116 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Emitter Voltage VCES 70 VCollector-Emitt

 9.1. Size:101K  central
mpq3798.pdf

MPQ3725
MPQ3725

MPQ3798 MPQ3799 PNP SILICON QUAD TRANSISTOR TO-116 CASE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ3798, MPQ3799 types are comprised of four independent Silicon PNP Transistors mounted in a 14 PIN DIP, designed for low level and low noise applications. MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL MPQ3798 MPQ3799 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 60 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 4

 9.2. Size:493K  central
mpq3762.pdf

MPQ3725

Quad TransistorsTO-116 Case (14 Pin DIP)TC (@ 25oC)=3.0 Watts Total ( 4 Die Equal Power) TYPE NO. DESCRIPTION BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ VCB hFE @ IC VCE (SAT ) @ IC Cob fT NF tOFF COMMENTS PIN Typ CONFIG.**(V) (V) (V) (nA) (V) (mA) (V) (mA) (pF) (MHz) (dB) (ns) MIN MIN MIN MAX MIN MAX MAX MIN MAX MPQ2222 NPN AMPL/SWITCH 60 40 5.0 50 50 30 300 0.40 150 8.0 200 - - - - 4X 2N2222

 9.3. Size:101K  central
mpq3799.pdf

MPQ3725
MPQ3725

MPQ3798 MPQ3799 PNP SILICON QUAD TRANSISTOR TO-116 CASE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPQ3798, MPQ3799 types are comprised of four independent Silicon PNP Transistors mounted in a 14 PIN DIP, designed for low level and low noise applications. MAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL MPQ3798 MPQ3799 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 60 60 V Collector-Emitter Voltage VCEO 4

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N1990S | BD947

 

 
Back to Top