BD244BG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BD244BG 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BD244BG
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD244BG даташит
bd244bg.pdf
BD243B, BD243C (NPN) BD244B, BD244C (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. http //onsemi.com Features 6 AMPERE Collector - Emitter Saturation Voltage - POWER TRANSISTORS VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc COMPLEMENTARY SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage -
bd243b bd244b bd243c bd244c.pdf
Order this document MOTOROLA by BD243B/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD243B Complementary Silicon Plastic BD243C* Power Transistors PNP . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD244B Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage BD244C* VCEO(sus) =
bd244 bd244a bd244b bd244c.pdf
BD244/A/B/C Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD243, BD243A, BD243B and BD243C respectively TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD244 - 45 V BD244A - 60 V BD244B - 80 V BD244C - 100 V VCEO Co
bd243b bd243c bd244b bd244c.pdf
BD243B, BD243C (NPN), BD244B, BD244C (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. www.onsemi.com Features 6 AMPERE High Current Gain Bandwidth Product POWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* COMPLEMENTARY SILICON 80-100 VOLTS MAXIMUM RATINGS 65 W
Другие транзисторы: BD135TG, BD159G, BD179G, BD180G, BD241CG, BD242BG, BD242CG, BD243CG, 2SC2073, BD244CG, BD435G, BD436G, BD437G, BD437TG, BD438G, BD439G, BD440G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06





