Справочник транзисторов. BD440G

 

Биполярный транзистор BD440G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD440G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO225
 

 Аналог (замена) для BD440G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD440G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  onsemi
bd440g.pdfpdf_icon

BD440G

BD436, BD438, BD440,BD442Plastic Medium PowerSilicon PNP TransistorThis series of plastic, medium-power silicon PNP transistors can beused for for amplifier and switching applications. Complementaryhttp://onsemi.comtypes are BD437 and BD441.4.0 AMP POWERFeaturesTRANSISTORS PNP SILICON Pb-Free Packages are Available*TO-225AAMAXIMUM RATINGS

 9.1. Size:111K  motorola
bd438 bd440 bd442.pdfpdf_icon

BD440G

Order this documentMOTOROLAby BD438/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD438BD440Plastic Medium Power SiliconBD442PNP Transistor. . . for amplifier and switching applications. Complementary types are BD437 andBD441.4.0 AMPERESPOWER TRANSISTORSPNP SILICONCASE 7708

 9.2. Size:69K  st
bd439 bd440 bd441 bd442.pdfpdf_icon

BD440G

BD439/BD440BD441/BD442COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES DESCRIPTION The BD439 and BD441 are silicon epitaxial-baseNPN power transistors in Jedec SOT-32 plasticpackage, intented for use in power linear andswitching applications.The complementary PNP types are BD440, and12BD442 respectively.3SOT-

 9.3. Size:41K  fairchild semi
bd440 bd442.pdfpdf_icon

BD440G

BD440/442Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD439, BD441 respectivelyTO-1261PNP Epitaxial Silicon Transistor1. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BD440 - 60 V: BD442 - 80 V VCES Collector-Emitter Voltage: BD440 - 60 V: BD442 - 80 V

Другие транзисторы... BD244BG , BD244CG , BD435G , BD436G , BD437G , BD437TG , BD438G , BD439G , TIP35C , BD441G , BD442G , BD675AG , BD675G , BD676AG , BD676G , BD677AG , BD677G .

History: CDL13005 | KT845A

 

 
Back to Top

 


 
.