Справочник транзисторов. BD684A

 

Биполярный транзистор BD684A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD684A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO225

 Аналоги (замена) для BD684A

 

 

BD684A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  comset
bd684a.pdf

BD684A
BD684A

PNP BD684 BD684A SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS The BD684 and BD684A are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 and BD683A. Compliance to RoHS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VC

 9.1. Size:72K  comset
bd684 bd683.pdf

BD684A
BD684A

PNP BD684 NPN BD683 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORSThe BD684 are PNP eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. NPN complements are BD683 . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Unit-VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V-VCBO Collector-Base Voltage 120 V-VEBO E

 9.2. Size:117K  cdil
bd676 bd678 bd680 bd682 bd684 a.pdf

BD684A
BD684A

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS BD676, 676ABD678, 678ABD680, 680ABD682, 684TO126 Plastic PackageECBFor Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications.COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683BD678, 678A, 680, 680A ARE E

 9.3. Size:189K  inchange semiconductor
bd684.pdf

BD684A
BD684A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD684DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = -120V(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min) @ I = -1.5 AFE CComplement to Type BD683Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and video output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BD908

 

 
Back to Top